| 发明名称 |
极紫外光EUV用光阻组成物及光阻图型之形成方法RESIST COMPOSITION FOR EUV AND PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERN |
| 摘要 |
本发明之光阻组成物，为含有(A1)下述式(I)所示多元酚化合物(a)中之酚性羟基中一部份或全部被酸解离性溶解抑制基所保护之保护体，与(B)经由曝光产生酸之酸产生剂成份之EUV用光阻组成物。094130565-p01.bmp |
| 申请公布号 |
TW200617602 |
申请公布日期 |
2006.06.01 |
| 申请号 |
TW094130565 |
申请日期 |
2005.09.06 |
| 申请人 |
东京应化工业股份有限公司 |
发明人 |
羽田英夫;平山拓;盐野大寿;渡边健夫;木下博雄 |
| 分类号 |
G03F7/039;C07C39/15;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/039 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
