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经营范围
发明名称
半导体元件用金焊接线
摘要
提供即使焊接线之线径变细至23μm以下,以有优越真圆度的压焊焊球所形成,且具有能耐焊接线熔流的裂断应力之半导体元件用金(Au)焊接线。一种半导体元件用金焊接线,系以由Au基体及机能性元素而成的Au合金而成,其特征在于该Au基体含有Be3~15质量ppm、Ca3~40质量ppm、La3~20质量ppm,该Au合金之压焊焊球的真圆度为0.95~1.05。
申请公布号
TW200618146
申请公布日期
2006.06.01
申请号
TW094141270
申请日期
2005.11.24
申请人
田中电子工业股份有限公司
发明人
手岛聪;三上道孝
分类号
H01L21/60;H01L23/49;C22C5/02
主分类号
H01L21/60
代理机构
代理人
游永谊
主权项
地址
日本
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