发明名称 半导体元件用金焊接线
摘要 提供即使焊接线之线径变细至23μm以下,以有优越真圆度的压焊焊球所形成,且具有能耐焊接线熔流的裂断应力之半导体元件用金(Au)焊接线。一种半导体元件用金焊接线,系以由Au基体及机能性元素而成的Au合金而成,其特征在于该Au基体含有Be3~15质量ppm、Ca3~40质量ppm、La3~20质量ppm,该Au合金之压焊焊球的真圆度为0.95~1.05。
申请公布号 TW200618146 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094141270 申请日期 2005.11.24
申请人 田中电子工业股份有限公司 发明人 手岛聪;三上道孝
分类号 H01L21/60;H01L23/49;C22C5/02 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 游永谊
主权项
地址 日本