记忆元件

摘要

本发明系提供一种能够容易且高密度地制造之构造之记忆元件。本发明之记忆元件之构造，系于2个电极1、4之间形成有记录层2、3，藉由对于此等2个电极1、4施加不同极性之电位，记录层2、3之电阻值系可逆地变化之电阻变化元件10以构成记忆胞(memory cell)，而于邻接之复数之记忆胞，构成电阻变化元件10之记录层之至少一部份之层2、3系由同一层所共通地形成。