多埠半导体记忆装置

摘要

当为同一行存取时，文字线WLA及WLB的电压准位设定为电源电压VDD–Vtp。另一方面，当为其他行存取时，文字线WLA或WLB的电压准位设定为电源电压VDD。藉此，当两方的连接埠PA,PB同时对同一行进行存取时，可藉由将文字线WLA,WLB的电压准位设定为电源电压VDD–Vtp来抑制记忆体单元的驱动电流量，以防止电晶体的电流比变小。于是结果为，可防止SNM的恶化。