| 摘要 |
本发明提供一种COF(膜上晶片型，chip on film)用被铜积层板，可形成微细图案之电路，在Au–Sn共晶时可防止沉入导体之聚醯亚胺层，以及提供一种将上述COF用被铜积层板加工而得之COF用载置带。本发明所提供之COF用被铜积层板系在铜箔上设置聚醯亚胺层之被铜积层板，聚醯亚胺层之厚度为5至20μm，以溶液形态涂布在铜箔上，并经乾燥及硬化而得，在350℃下呈现非热塑性之特性，铜箔之厚度为5至50μm，表面粗糙度为0.5至1.5μm，具有：以一种以上选自Mo、Co、Ni或Zn之金属所处理之金属处理层，以及铬酸盐处理层(chromate treatmentlayer)与矽烷偶合剂处理层，铜一聚醯亚胺间之常温中的180°剥离强度(peel strength)为0.6kN／m以上。 |
