一种瓶状深沟渠及埋入电极的制作方法

摘要

本发明系提供一种瓶状深沟渠及埋入电极的制作方法。首先提供一半导体基底，接着蚀刻该半导体基底，以于该半导体基底中形成至少一深沟渠，之后于该深沟渠之底部填充以一阻挡物，并对未填充有该阻挡物之该深沟渠内壁进行一离子布植。最后在移除该阻挡物之后，再蚀刻未受该离子布植之该深沟渠内壁，以形成一瓶状深沟渠。