发明名称 控制奈米碳管管束密度的方法与奈米碳管的制造方法
摘要 一种控制奈米碳管管束密度的方法,适于利用一化学气相沉积法在一氧化物模板的奈米级孔洞内成长奈米碳管,其特征在于氧化物模板系经由两阶段阳极氧化处理,以形成具有阵列排列的奈米级孔洞;以及利用控制化学气相沉积法的反应气氛之种类与比例,来控制奈米碳管之管束密度。因此,本发明能有效提升奈米碳管之应用性。
申请公布号 TW200616890 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW093135198 申请日期 2004.11.17
申请人 国立交通大学 发明人 郭正次;潘扶民;陈柏林;张峻恺
分类号 C01B31/02;B82B3/00 主分类号 C01B31/02
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市东区大学路1001号