| 发明名称 |
SiCOH膜之深紫外线雷射退火及稳定 |
| 摘要 |
本发明揭示一种含矽、碳、氧及氢原子(以下称为SiCOH)之介电膜的制造方法，相较于知的介电膜，包含未经本发明之深紫外线(DUV)雷射处理的知SiCOH介电膜，本发明之SiCOH介电膜具有改善的绝缘性质。改善的性质包含达成漏电流的降低，不会负面影响(增加)SiCOH介电膜的介电常数。根据本发明，将所沉积的SiCOH介电膜经DUV雷射回火可获得漏电流降低及可信赖度改善的SiCOH介电膜。本发明的DUV雷射回火步骤可能将膜中的弱碳键移除而使漏电流获得改善。 |
| 申请公布号 |
TW200618106 |
申请公布日期 |
2006.06.01 |
| 申请号 |
TW094126266 |
申请日期 |
2005.08.02 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
亚力珊卓C. 加勒盖瑞;斯帝芬A 柯汉;法德E. 多尼 |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/469;H01L21/26;H01L21/42;H01L21/324;H01L21/477 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
蔡玉玲 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
美国 |
