发明名称 半导体基板清洁液及使用该清洁液之半导体基板清洁制程
摘要 本发明开发一种清洗液,不会蚀刻矽基板以及玻璃基板,去除由氧化铝粒子、二氧化矽粒子、或氮化矽粒子所组成粒子之能力高,亦能够去除金属污染。本发明之半导体基板清洗液组合物,含有选自由1个分子中至少有2个以上磺酸基之化合物、植酸、以及缩合磷酸化合物组成之群组中1种或2种以上,以及无机酸和水。本发明系有关于一种由2个步骤所组成之半导体基板清洗液方法,第1步骤系使用含有选自由1个分子中至少有2个以上磺酸基之化合物、以及植酸和缩合磷酸化合物组成之群组中1种或2种以上,以及无机酸和水之半导体基板清洗液组合物清洗半导体基板;第2步骤系接着第1步骤,使用纯水或溶解有臭氧气体之臭氧水或过氧化氢溶液清洗该半导体基板。
申请公布号 TW200616721 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094127036 申请日期 2005.08.09
申请人 东芝股份有限公司;关东化学股份有限公司 发明人 富田宽;山田裕司;山田浩玲;石川典夫;阿部优美子
分类号 B08B3/08;C11D3/20;C11D10/02;H01L21/30 主分类号 B08B3/08
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 日本