半导体装置之制造方法

摘要

本发明之半导体装置之制造方法包含如下步骤：于半导体基板上形成层间绝缘膜之步骤；除去上述层间绝缘膜之所期望区域，为了埋入该除去之区域，于上述半导体基板以及上述层间绝缘膜上沉积导电性材料而形成膜之步骤；为了具有与上述层间绝缘膜大致相同高度而使上述膜平坦化，藉此埋入上述导电性材料而形成第1导电层之步骤；及于上述所埋入之上述第1导电层之上面进行使用稀释胆硷水溶液之处理之步骤。