氮化物类化合物半导体及其制法

摘要

一种以通式InxGayAlzN(其中x＋y＋z＝1,0≦x≦1,0≦y≦1，且0≦z≦1)表示的氮化物类化合物半导体之制法，其特征为厚度500至5000埃之以通式InaGabAlcN(其中a＋b＋c＝1，0≦a≦1,0≦b≦1，且0≦c≦1)表示的未经掺杂之氮化物类化合物半导体(A)系于550至850℃之温度范围内在p–型接触层与n–型接触层之间形成。