发明名称 表面发射式半导体雷射装置及其制造方法
摘要 本发明涉及一种表面发射式半导体雷射装置,包括:至少一表面发射式半导体雷射(21),其具有一垂直发射体(1)和至少一泵辐射源(2),其相邻地以单石方式积体化于一种共同的基板(13)上。此半导体雷射装置另外具有:一导热元件(18),其是与半导体雷射(21)形成热接触;以及一安装面(28),此安装面(28)安装在载体(27)上。此外,本发明亦提供此种表面发射式半导体雷射装置之制造方法。
申请公布号 TW200618428 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094132601 申请日期 2005.09.21
申请人 欧斯朗奥托半导体股份有限公司 发明人 汤玛斯休沃兹;沃夫甘瑞尔;尔瑞奇史堤格幕勒;史蒂芬路特甘;东尼艾布雷奇特
分类号 H01S3/109;H01S5/14;H01S5/183 主分类号 H01S3/109
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 德国