发明名称 |
表面发射式半导体雷射装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种表面发射式半导体雷射装置,包括:至少一表面发射式半导体雷射(21),其具有一垂直发射体(1)和至少一泵辐射源(2),其相邻地以单石方式积体化于一种共同的基板(13)上。此半导体雷射装置另外具有:一导热元件(18),其是与半导体雷射(21)形成热接触;以及一安装面(28),此安装面(28)安装在载体(27)上。此外,本发明亦提供此种表面发射式半导体雷射装置之制造方法。 |
申请公布号 |
TW200618428 |
申请公布日期 |
2006.06.01 |
申请号 |
TW094132601 |
申请日期 |
2005.09.21 |
申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 |
发明人 |
汤玛斯休沃兹;沃夫甘瑞尔;尔瑞奇史堤格幕勒;史蒂芬路特甘;东尼艾布雷奇特 |
分类号 |
H01S3/109;H01S5/14;H01S5/183 |
主分类号 |
H01S3/109 |
代理机构 |
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代理人 |
何金涂;林荣琳 |
主权项 |
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地址 |
德国 |