| 主权项 |
1.一种铜错合物,其特征为:以具有矽醚结合之- 二酮根作为配位子。 2.如申请专利范围第1项之铜错合物,其中具有矽醚 结合之-二酮根配位子系下述式(I)': [式中Z表氢原子或碳原子数1至4之烷基, X表上述式(I-I)所表之基(式中Ra表碳原子数1至5之 直链或分枝烷撑基、Rb、Rc及Rd各自独立表碳原子 数1至5之直链或分枝烷基),并且 Y表式(I-I)所表之基(式中Ra表碳原子数1至5之直链 或分枝烷撑基、Rb、Rc及Rd各自独立表碳原子数1至 5之直链或分枝烷基),或碳原子数1至8之直链或分 枝烷基] 所表之化合物。 3.如申请专利范围第1项之铜错合物,其系下述式(1) : [式中Z表氢原子或碳原子数1至4之烷基, X表上述式(I-I)所表之基(式中Ra表碳原子数1至5之 直链或分枝烷撑基、Rb、Rc及Rd各自独立表碳原子 数1至5之直链或分枝烷基),并且 Y表式(I-I)所表之基(式中Ra表碳原子数1至5之直链 或分枝烷撑基、Rb、Rc及Rd各自独立表碳原子数1至 5之直链或分枝烷基),或碳原子数1至8之直链或分 枝烷基] 所表之化合物。 4.如申请专利范围第2项之铜错合物,其中X及Y系相 同之基。 5.如申请专利范围第3项之铜错合物,其中X及Y系相 同之基。 6.如申请专利范围第2项之铜错合物,其中Y系碳原 子数1至8之直链或分枝烷基。 7.如申请专利范围第3项之铜错合物,其中Y系碳原 子数1至8之直链或分枝烷基。 8.如申请专利范围第2项之铜错合物,其中Ra系亦可 有一以上烷基取代基的碳原子数1至3之烷撑基。 9.如申请专利范围第3项之铜错合物,其中Ra系亦可 有一以上烷基取代基的碳原子数1至3之烷撑基。 10.如申请专利范围第2项之铜错合物,其中Z系氢原 子,Rb、Rc及Rd均系甲基。 11.如申请专利范围第3项之铜错合物,其中Z系氢原 子,Rb、Rc及Rd均系甲基。 12.一种制造含铜薄膜的方法,其特征为:利用如申 请专利范围第1项之铜错合物作为铜供给源,以化 学气相蒸镀法成膜。 13.一种制造含铜薄膜的方法,其特征为:利用如申 请专利范围第2项之铜错合物作为铜供给源,以化 学气相蒸镀法成膜。 14.一种制造含铜薄膜的方法,其特征为:利用如申 请专利范围第3项之铜错合物作为铜供给源,以化 学气相蒸镀法成膜。 图式简单说明: 第1图系可用于形成铜薄膜之CVD装置的概略说明图 。 |
