发明名称 用以抛光一底材之方法与装置
摘要 揭示一种使用研磨衬垫之料浆研磨基板之改良方法及装置。基板藉料浆及研磨衬垫之磨蚀面以机械方式研磨,以及藉料浆所含的化学材料以化学方式研磨。去除研磨过程产生的污染物及洗涤液之料浆系自由且垂直流至研磨衬垫上。由于系自由且垂直流动,故洗涤液不会回弹且向下流至研磨衬垫表面。
申请公布号 TWI255752 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW090116014 申请日期 2001.06.29
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 诸晚昊;金民奎
分类号 B24B37/04;B24B7/24;H01L21/304 主分类号 B24B37/04
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种研磨基板之方法,该方法包含下列步骤: 旋转一基板; 旋转一研磨衬垫; 藉由将该基板接触该研磨衬垫伴以提供料浆至该 研磨衬垫以研磨该基板之一表面;以及 藉由垂直且自由流动洗涤液至该研磨衬垫以防洗 涤液回弹至研磨衬垫上,来去除经由研磨该基板所 致之研磨污染物。 2.如申请专利范围第1项之研磨基板之方法,其进一 步包含于基板研磨后,垂直且自由流动该洗涤液至 该研磨衬垫历经1至5秒时间,俾清除剩余料浆及研 磨污染物。 3.如申请专利范围第1项之研磨基板之方法,其中该 洗涤液为去离子水。 4.如申请专利范围第1项之研磨基板之方法,其中该 洗涤液系沿多股流垂直且自由流至研磨衬垫表面, 且全部各股流彼此具有相等间隔距离。 5.如申请专利范围第1项之研磨基板之方法,其中该 洗涤液系于距研磨衬垫表面约20至40毫米高度垂直 且自由流动。 6.一种研磨基板之装置,该装置包含: 一研磨站; 一研磨衬垫,其架设于该研磨站;以及 一洗涤装置,其位在该研磨衬垫之一侧,该洗涤装 置具有一板,该板界定出至少一个延伸穿越过该板 的进给孔;以及 一连接至该洗涤装置之洗涤液源,其用以提供洗涤 液且该板上之一位置,藉此该洗涤液经由该至少一 进给孔垂直且自由流动出至该研磨衬垫表面之上 表面,俾去除经由研磨基板所致之研磨污染物。 7.如申请专利范围第6项之研磨基板之装置,其进一 步包含一个载具头,其具有一用于抓住一基板之真 空夹头,该载具头系设置于该研磨站之上且系可垂 直移动,使得被该载具头抓住的基板可降低而让该 基板接触该研磨衬垫。 8.如申请专利范围第7项之研磨基板之装置,其进一 步包含一第一旋转件,其系连结至该载具头用于使 该载具头旋转。 9.如申请专利范围第6项之研磨基板之装置,其进一 步包含一旋转件其系连结至该研磨衬垫用于使该 研磨衬垫旋转。 10.如申请专利范围第6项之研磨基板之装置,其进 一步包含一个料浆配浆器,其供给料浆至该研磨衬 垫。 11.如申请专利范围第10项之研磨基板之装置,其中 该料浆配浆器包含一个料浆出口,该出口系位于该 洗涤装置之接近该研磨衬垫中心的远端部。 12.如申请专利范围第10项之研磨基板之装置,其中 该料浆配浆器包含一个料浆出口,该出口系位于该 研磨衬垫之外缘部。 13.如申请专利范围第6项之研磨基板之装置,其中 该洗涤装置之板具有多于6个进给孔延伸穿越过该 板,该等进给口彼此间格相等距离。 14.如申请专利范围第6项之研磨基板之装置,其中 该各至少一进给孔之直径为约1.5至2.5毫米。 15.如申请专利范围第6项之研磨基板之装置,其中 该至少一进给孔系位于距该研磨衬垫上表面20至40 毫米高。 16.如申请专利范围第6项之研磨基板之装置,其中 该洗涤装置系藉一螺丝固定至该研磨站。 17.如申请专利范围第6项之研磨基板之装置,其中 该洗涤装置具有一出口其连结至该洗涤液源并位 于该洗涤装置之接近该研磨衬垫中心的远端部。 18.如申请专利范围第6项之研磨基板之装置,其中 该洗涤液为去离子水。 图式简单说明: 第1图为示意图显示基板表面利用研磨装置研磨状 态; 第2图为剖面图显示安装于习知研磨装置的洗涤件 ; 第3图为示意剖面侧视图显示使用第2图洗涤件做 去离子水的喷洒; 第4图为透视图显示根据本发明之较佳具体实施例 研磨基板之装置; 第5图为第4图之研磨衬垫之透视图; 第6图为示意剖面侧视图显示根据本发明之较佳具 体实施例研磨基板装置之洗涤件; 第7图为第6图之洗涤件之透视图; 第8图为安装于第6图之洗涤件之料浆配浆器之示 意剖面侧视图;以及 第9图为示意图显示根据本发明之较佳具体实施例 之洗涤液的喷洒。
地址 韩国