| 主权项 |
1.一种低介电常数膜,系由至少具有金刚石微粒子 与空隙之膜所形成者,其特征在于:前述低介电常 数膜含有选自于在常温下碳酸盐或硫酸盐溶解度 在1g/100g以下之金属群之至少1种金属。 2.如申请专利范围第1项之低介电常数膜,其中前述 金属,系选自于由钙、锶、钡、汞、银、铅、镭所 构成之群组之至少1种。 3.一种低介电常数膜,系由至少具有金刚石微粒子 与空隙之膜所形成者,其特征在于:前述低介电常 数膜系以选自于在常温下碳酸盐或硫酸盐溶解度 在1g/100g以下之金属群之至少1种金属之盐的水溶 液进行处理者。 4.如申请专利范围第3项之低介电常数膜,系以选自 于由钙、锶、钡、汞、银、铅、镭所构成之群组 之至少1种金属之盐的水溶液进行处理者。 5.一种电子零件,系至少以申请专利范围第1至4项 中任一项之低介电常数膜作为其中一个构成要件 。 6.一种低介电常数膜,系由至少具有金刚石微粒子 与空隙之膜所形成者,其特征在于:前述金钢石微 粒子表面具有可置换羟基,且相对于前述羟基具有 疏水性之一般式-X基。 7.如申请专利范围第6项之低介电常数膜,其中前述 一般式-X基之X,系选自于由氢、氟、C1~C4烷基、苯 氧基、o-(m-或p-)烷基苯氧基(其中,烷基为C1~C4)、 OCOR、OCONRR'、OSiR3[其中,R、R'为氢、C1~C4烷基、苯 基、o-(m-或p-)烷基苯基]所构成之群组之至少1种。 8.如申请专利范围第6项或第7项之低介电常数膜, 其中前述一般式-X基之X,系OSiR3(其中R为C1~C4烷基) 。 9.一种电子零件,系至少以具有申请专利范围第6项 或第7项之低介电常数膜作为其中一个构成要件。 10.一种电子零件,系至少以具有申请专利范围第8 项之低介电常数膜作为其中一个构成要件。 11.一种低介电常数膜之制造方法,系使金刚石微粒 子表面上之活性羟基与疏水化剂进行反应。 12.如申请专利范围第11项之低介电常数膜之制造 方法,其中前述疏水化剂,系选自于由六烷基二矽 氮烷、三烷基单卤矽烷、三苯基单卤矽烷、芳基 化烷基单卤矽烷、二烷基二卤矽烷、三烷基一甲 氧基矽烷、三苯基一甲氧基矽烷、芳基化一烷氧 基烷基矽烷、二烷基二甲氧基矽烷、重氮烷烯所 构成之群组之至少1种。 13.一种低介电常数膜,系由至少具有金刚石微粒子 与空隙之膜所形成者,其特征在于:前述金刚石微 粒子表面系藉由下述(a)之至少一种单一物质,或下 述(a)之至少一种与下述(b)之至少一种的混合物质 进行处理者,又, (a)以一般式XnR3-nSi(OSi)mR3-nXn所表示之物质; (b)以一般式X3Si(OSi)mX3所表示之物质; (但,n=1或2、m=0至3之整数;X为卤基、C1~C6烷基或苯 氧基;R为C1~C6烷基)。 14.如申请专利范围第13项之低介电常数膜,其中于 前述(a)一般式及前述(b)一般式中,X系选自于由氯 基、甲氧基、乙氧基所构成之群组之至少1种,又,R 为甲基或乙基。 15.如申请专利范围第13项或第14项之低介电常数膜 ,其中于前述(a)一般式及前述(b)一般式中之m为1。 16.如申请专利范围第13项或第14项之低介电常数膜 ,其中前述(a)一般式中之n为1。 17.如申请专利范围第15项之低介电常数膜,其中前 述(a)一般式中之n为1。 18.如申请专利范围第13项之低介电常数膜,其中前 述(a)一般式之物质,系选自于由二氯四甲基二矽氧 烷、二甲氧基四甲基二矽氧烷、四氯二甲基二矽 氧烷、四甲氧基二甲基二矽氧烷所构成之群组之 至少1种,又,前述(b)一般式之物质,系选自于由六氯 二矽氧烷、六甲氧基二矽氧烷、六乙氧基二矽氧 烷所构成之群组之至少1种。 19.如申请专利范围第13项之低介电常数膜,系由至 少具有金刚石微粒子与空隙之膜所形成者,其特征 在于:前述金刚石微粒子表面系藉由X为C1~C6烷基或 苯氧基之前述(b)之一般式之至少1种进行处理。 20.一种电子零件,系至少以申请专利范围第13~14、 18~19项中任一项之低介电常数膜作为其中一个构 成要件。 21.一种电子零件,系至少以申请专利范围第15项之 低介电常数膜作为其中一个构成要件。 22.一种电子零件,系至少以申请专利范围第16项之 低介电常数膜作为其中一个构成要件。 23.一种电子零件,系至少以申请专利范围第17项之 低介电常数膜作为其中一个构成要件。 24.一种低介电常数膜之制造方法,系用以制造申请 专利范围第13项之低介电常数膜者,该制造方法系 使金刚石微粒子表面上之羟基,和(a)之至少一种的 单一物质,或和(a)之至少一种与(b)之至少一种的混 合物质进行化学反应。 25.如申请专利范围第24项之低介电常数膜之制造 方法,其中前述(a)一般式之物质,系选自由于二氯 四甲基二矽氧烷、二甲氧基四甲基二矽氧烷、四 氯二甲基二矽氧烷、四甲氧基二甲基二矽氧烷所 构成之群组之至少1种,又,前述(b)一般式之物质,系 选自于由六氯二矽氧烷、六甲氧基二矽氧烷、六 乙氧基二矽氧烷所构成之群组之至少1种。 图式简单说明: 第1图系显示本发明之多孔性金刚石微粒子膜,在 钡处理前后的电流-电压特性之图表。括弧内的値 表示电容率。 第2图系显示本发明之多孔性金刚石微粒子膜,在 疏水化处理前后之的电流-电压特性之图表。 第3图系显示本发明之多孔性金刚石微粒子膜,在 实施例1(■符号)与比较例1(符号)所获得之低介 电常数膜的电流-电压特性之图表。 第4图系显示本发明之多孔性金刚石微粒子膜,在 实施例2(■符号)所获得之低介电常数膜的电流-电 压特性之图表。 |
