| 主权项 |
1.一种陶瓷电子元件,其特征为包括: 一元件本体,其具有表面而且包括一种浸渍玻璃的 陶瓷,该陶瓷具有正温度系数,其相对密度为90%或 更低,且该陶瓷包括钛酸钡;及 一对隔开的电极,其位于该元件本体表面上, 其中该陶瓷包括多层半导体钛酸钡层的叠合物和 至少两片放置在所述叠合物中介于此等层间不同 界面之内电极,该两片内电极各自与在元件本体表 面上该对隔开的电极不同个电极电连接。 2.如申请专利范围第1项的陶瓷电子元件,另外包括 在该元件本体表面上的含玻璃保护层。 3.如申请专利范围第1项的陶瓷电子元件,其中浸渍 在陶瓷中之玻璃的软化点之上限为1,000℃。 4.如申请专利范围第1项的陶瓷电子元件,另外包括 在元件本体表面上的含玻璃保护层。 5.如申请专利范围第4项的陶瓷电子元件,其中浸渍 在陶瓷中的玻璃的软化点之上限为1,000℃。 6.如申请专利范围第1项的陶瓷电子元件,其中该陶 瓷包括无烧结添加剂的钛酸钡。 7.如申请专利范围第6项的陶瓷电子元件,另外包括 在元件本体表面上的含玻璃的保护层。 8.如申请专利范围第6项的陶瓷电子元件,其中该陶 瓷包括多层该陶瓷的叠合物和至少两片放置在该 叠合物中介于此等层间不同界面处之内电极,该两 片内电极各自与在元件本体表面上该对隔开的电 极不同个电极电连接。 9.如申请专利范围第8项的陶瓷电子元件,另外包括 在元件本体表面上的含玻璃保护层。 10.如申请专利范围第9项的陶瓷电子元件,其中浸 渍在该陶瓷中的玻璃的软化点之上限为1,000℃。 11.一种陶瓷电子元件,其特征为包括: 一个元件本体,其具有表面,而且包括含含钛酸钡 但无烧结添加剂的半导体陶瓷,该陶瓷具有正温度 系数,其相对密度为90%或更低,且浸渍有玻璃成分; 及 一对隔开的电极,其位于该元件本体表面上, 其中该陶瓷包括多层半导体钛酸钡层的叠合物和 至少两片放置在所述叠合物中介于此等层间不同 界面之内电极,该两片内电极各自与在元件本体表 面上该对隔开的电极不同个电极电连接。 12.如申请专利范围第11项的陶瓷电子元件,另外包 括在该元件本体表面上的含玻璃保护层。 13.如申请专利范围第11项的陶瓷电子元件,另外包 括在该元件本体表面上的含玻璃保护层。 14.如申请专利范围第13项的陶瓷电子元件,其中浸 渍在该陶瓷中的玻璃的软化点之上限为1,000℃。 15.如申请专利范围第11项的陶瓷电子元件,其中浸 渍在该陶瓷中的玻璃的软化点之上限为1,000℃。 图式简单说明: 图1系显示本发明一层叠PTC热敏电阻实例的示意图 ,及 图2系显示本发明之层叠PTC热敏电阻另一实例的示 意图。 |
