| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft einen HF-Leistungsverstärker, der mehrere parallel zueinander geschaltete Zweige (10, 11, 12) umfasst. Jeder Zweig umfasst mehrere seriell geschaltete Halbleiterschalter (T_1, ..., T_4). Mithilfe von Widerständen (R_2, ..., R_5) kann in den Zweigen (10, 11, 12) die an den Halbleiterschaltern (T_1, ..., T_4) anliegende Spannung (U_DS) als Bruchteil einer an den Zweigen (10, 11, 12) anliegenden Versorgungsspannung (U_d) eingestellt werden. Kondensatoren (C_2, ..., C_4) dienen zum Einstellen der Source-Impedanz der Halbleiterschalter (T_2, ..., T_4). Um zu verhindern, dass die Gate-Drain-Spannung (U_GD) die Durchbruchspannung eines Halbleiterschalters (T_1, ..., T_4) übersteigt und der Halbleiterschalter (T_1, ..., T_4) beschädigt wird, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass zwischen dem Gate-Anschluss (G) und dem Drain-Anschluss (D) des Halbleiterschalters (T_1, ..., T_4) ein Begrenzungspfad (7) geschaltet ist, der in Abhängigkeit von der Gate-Drain-Spannung (U_GD) zwischen einem Durchlasszustand und einem Sperrzustand umgeschaltet werden kann. In dem Begrenzungspfad (7) ist vorzugsweise ein Schaltelement (8) und/oder ein Widerstandselement (9) in Form eines ohmschen Widerstandes mit dem Widerstandswert (R_d) angeordnet, durch das die maximale Gate-Drain-Spannung (U_GD) jedes einzelnen Halbleiterschalters (T_1, ..., T_4) begrenzt werden kann.
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