| 摘要 |
In Bereichen eines Halbleiterbausteins, in dem keine funktionalen Transistoren ausgebildet sind, werden Ersatztransistoren hergestellt, welche gleichmäßige Bedingungen für Ätz- und Polierverfahren zur Verfügung stellen und auf dem Halbleiterbauelement Transistoren mit gleichmäßigeren Parametern vorsehen. Die Ersatztransistoren können nicht elektrisch mit anderen Bauteilen des Halbleiterbauelements verbunden werden. Alternativ können die Ersatztransistoren mit anderen Bauteilen verbunden werden, um sie beispielsweise als Ersatztransistoren zu verwenden. Die Gates der Ersatztransistoren stellen eine homogene Gate-Materialschicht zur Verfügung, die für verbesserte Ätz-, Polier- und Lithographieverfahren auf dem Halbleiterbauelement sorgen.
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