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发明名称
METHOD FOR FORMING A GATE PATTERN OF FLASH MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号
KR20060058812(A)
申请公布日期
2006.06.01
申请号
KR20040097770
申请日期
2004.11.26
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
KIM, DONG CHAN;KANG, CHANG JIN;CHI, KYEONG KOO;LEE, CHEOL KYU
分类号
H01L27/115
主分类号
H01L27/115
代理机构
代理人
主权项
地址
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