| 发明名称 | 用于MRAM导线的覆层材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于MRAM装置中的覆层区域的制造方法，包括在磁致电阻存储器件40的附近形成导电位线47。将导电位线浸入到含有第一导电材料溶解离子的第一槽中一段时间，足够在导线上通过置换镀形成第一阻挡层。随后，将第一阻挡层浸入到一个化学镀槽中以在第一阻挡层上形成磁通集中层50。将磁通集中层浸入到含有第二导电材料溶解离子的第二槽中一段时间，足够在磁通集中层上通过置换镀形成第二阻挡层52。 | ||
| 申请公布号 | CN1781156A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN03805492.2 | 申请日期 | 2003.02.27 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 杰伊奈尔·A·莫拉;约翰·德索;凯利·开勒;布拉德利·N·恩格;格利高里·W·格恩克维奇;尼古拉斯·D·拉佐 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);G11C11/16(2006.01);H01L21/8246(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种制造用于磁致电阻存储器件的覆层区域的方法，包括下列步骤：提供一种由导电材料形成的导线，该导线位于与磁致电阻存储器件相邻的位置；利用第一电化学沉积槽在导电互连上形成第一阻挡层；利用第二电化学沉积槽在第一阻挡层上形成磁通集中层。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||