发明名称 |
固态成像装置和制造与驱动其的方法 |
摘要 |
通过以良好平衡的方法改善噪声特性和读出特性从而提供了一种具有满意的噪声特性和读出特性的固态成像装置。所述固态成像装置具有如此的结构使得在构成像素的光接收传感器部分11的一侧提供读信号电荷;将预定的电压信号V施加到形成以覆盖除了光接收传感器部分11之外的图像拾取区的光屏蔽膜9;在构成光接收传感器部分11的光电转换区的第一导电型半导体区2的表面上的中心形成第二导电型半导体区6,且包含比第二导电型半导体区6的掺杂浓度更低的掺杂浓度的区10(10A、10B)形成于第一导电型半导体区2的表面上在电极8侧的端部和像素隔离区3侧的相对端部。 |
申请公布号 |
CN1781192A |
申请公布日期 |
2006.05.31 |
申请号 |
CN200480011816.9 |
申请日期 |
2004.03.05 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
北野良昭;阿部秀司;黑岩淳;平田清;大木洋昭;唐泽信浩;滝泽律夫;山下满;佐藤充;国分胜则 |
分类号 |
H01L27/148(2006.01);H04N5/335(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/148(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一个固态成像装置,包括:一电极,用于从构成像素的光接收传感器部分读信号电荷,设置于上述光接收传感器部分的一侧。一光屏蔽膜,形成以覆盖除了所述光接收传感器部分之外的图像拾取区,对其施加一预定的电压信号。一第二导电型半导体区,形成于构成所述光接收传感器部分的光电转换区的第一导电型半导体区表面上的中心,和一包含比所述第二导电型半导体区的掺杂浓度更低的掺杂浓度的区,在所述第一导电型半导体区表面上形成于所述电极侧的端部和像素隔离区侧的相对端部。 |
地址 |
日本东京都 |