| 发明名称 | 一种用于TiO<SUB>2</SUB>光电池的光电阴极及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光电阴极，包括基片及附着在基片上的阴极层，阴极层由碳和铂通过溅射法制成的膜，膜中碳的含量为30～100wt％。其制备方法为：将沉积在基片上的膜在20～800℃进行射频等离子体处理0.5～10小时；处理功率20～600W。本发明得到的光电阴极作为TiO<SUB>2</SUB>光电池电极，可提高TiO<SUB>2</SUB>光电池光电转换效率并降低TiO<SUB>2</SUB>光电池制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1779991A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200510019565.5 | 申请日期 | 2005.10.10 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 韩俊波;周正国;王取泉 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L21/283(2006.01) | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01) |
| 代理机构 | 武汉天力专利事务所 | 代理人 | 程祥;冯卫平 |
| 主权项 | 1.一种光电阴极，包括基片及附着在基片上的阴极层，其特征是：阴极层为由碳和铂通过溅射法制成的膜，膜中碳的含量为30～100wt％。 | ||
| 地址 | 430072湖北省武汉市武昌珞珈山 | ||