| 发明名称 | 包括金属－绝缘体－金属电容器排列的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底上形成的多层布线结构、和在多层布线结构中建立的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器排列。MIM电容器排列包括以规则间隔相互平行依次排列的第一、第二、第三、第四、第五和第六电极结构。第一、第二、第五和第六电极结构相互电连接从而定义第一电容器，第三和第四电极结构相互电连接从而定义第二电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN1779967A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200510116170.7 | 申请日期 | 2005.10.24 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 富留宫正之;菊田邦子;山本良太;中山诚 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的多层布线结构；和在所述多层布线结构中建立的金属-绝缘体-金属电容器排列，其中所述金属-绝缘体-金属电容器排列包括以规则间隔相互平行依次排列的第一、第二、第三、第四、第五和第六电极结构，所述第一、第二、第五和第六电极结构相互电连接从而定义第一电容器，所述第三和第四电极结构相互电连接从而定义第二电容器。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||