发明名称 宽带低水峰非色散位移单模光纤生产工艺
摘要 本发明涉及的是一种应用在光通信网络中宽带低水峰非色散位移单模光纤(简称G.652C/D光纤)生产工艺。该工艺方法是(1)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品拉制;(2)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品复绕筛选;(3)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品的氘气反应;所用氘氮混气中氘气浓度占1~3%;混气压力为0.5~1Kg,,反应时间为24~36小时,气体的温度常温20~25℃;(4)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品氢损试验;氢氮混气体中氢气的浓度占1~2%;混气压力为常压~3Kg,反应时间为114~136小时,气体温度为常温20~25℃;(5)宽带低水峰非色散位移单模光纤脱气处理;(6)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品测试;(7)宽带低水峰非色散位移单模光纤成品包装入库。
申请公布号 CN1257857C 申请公布日期 2006.05.31
申请号 CN200410041056.8 申请日期 2004.06.22
申请人 中天科技光纤有限公司 发明人 薛济萍;朱兆章;王美才;翁广明;刘志忠;庄卫星;钱生梅;蓝燕锐;薛群山
分类号 C03B37/012(2006.01);C03B37/014(2006.01) 主分类号 C03B37/012(2006.01)
代理机构 南京君陶专利商标代理有限公司 代理人 奚胜元
主权项 1.一种宽带低水峰非色散位移单模光纤生产工艺,其特征在于生产工艺步骤如下:(1)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品拉制对宽带低水峰非色散位移单模光纤预制棒进行烧结,烧结使用氢氧焰,温度控制在1600~1900℃;对烧结好的宽带低水峰非色散位移单模光纤预制棒进行抛光处理,目的在于去除棒体本身表层的杂污物质;将烧结,抛光处理好的宽带低水峰非色散位移单模光纤预制棒安装于高速拉丝塔进行拉丝,炉体温度控制在2100~2300℃,拉丝生产速度为1000~1500米/分,末端用双收线机绕收光纤,其间经过二次光纤涂料涂覆;(2)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品复绕筛选对上述拉制好的宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品进行复绕筛选,筛选所加张力为9.4~9.8牛顿,目的在于检查宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品的机械强度;(3)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品的氘气反应对上述复绕筛选好的宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品进行氘气反应处理;氘气反应处理宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品的过程是:将待处理的宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品放置在氘气反应处理设备中,首先对处理设备抽真空,真空度要求达到700~720mmHg,之后充入纯度大于99.9%的氮气,如此循环往复抽真空,充氮气次数大于等于三次,使处理设备中气体基本为氮气;然后往设备中通入纯度大于99.5%的氘气和纯度大于99.9%的氮气,使该氘气,氮气两种气体在设备中形成混合气体,其中氘气的浓度占1~3%,其余为氮气;处理设备中的氘氮混合气体的工作压力为0.5~1Kg,安全压力为2Kg,24小时内压降不超过2%,反应处理时间为24~36小时,气体的工作温度为常温20~25℃;在氘气反应处理过程中,宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品是通过用氘气中的D+与断裂的O-2键结合,形成OD-根,避免形成OH-根水峰,脱气后经过氢损试验,使波段1360-1460nm中1383nm处衰减为≤0.32dB/km,从而开通了1270nm-1650nm之间的全波段;氘气反应处理过程完成以后,氘气反应处理设备内的氘气,氮气混合气体可回收利用;(4)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品氢损试验在氘气反应处理过的宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品批次中,按照国家标准《逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)》任意随机抽取需要抽检的光纤样盘,测试宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品在波长1240nm处的衰减α1;接着将随机抽取的光纤样盘放入氢损试验设备中;往该氢损试验设备中充入纯度大于99.9%的氢气和纯度大于99.9%的氮气;氢氮混合气体中,氢气的浓度占1~2%,其余为氮气;氢氮混合气体充好后,混气工作压力为常压~3Kg,安全压力为5Kg,24小时内压降不超过2%,反应处理时间为114~136小时,气体的工作温度为常温20~25℃;宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品氢损试验是为了检验宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品抗氢老化性能,即氢敏感性;(5)宽带低水峰非色散位移单模光纤脱气处理宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品氢损试验完毕后,将上述宽带低水峰非色散位移单模光纤进行脱气处理,即让宽带低水峰非色散位移单模光纤暴露在中性气体中自然脱气处理;处理环境要求温度为20±2℃,湿度为RH50%±5%,处理时间为14~21天;(6)宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品的测试脱气处理完毕后,首先测试宽带低水峰非色散位移单模光纤1240nm处的衰减α2,如果α2-α1≥0.03dB/km,则氢损试验成功,否则,相应的随机抽取的光纤样盘需要重新放回氢损试验设备中,直到α2-α1≥0.03dB/km才认为氢损试验成功;然后,测试波长1383nm的衰减α3,如果α3≤0.32dB/km,则氘气反应成功,否则,氘气反应相应批次的所有宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品需要重新氘气反应处理,直到α3≤0.32dB/km才认为氘气反应成功;对宽带低水峰非色散位移单模光纤半成品还需要进行几何尺寸,光学和传输性能,机械性能,环境性能以及宏弯损耗指标的常规测试;经测试合格的宽带低水峰非色散位移单模光纤则为宽带低水峰非色散位移单模光纤成品;(7)宽带低水峰非色散位移单模光纤成品包装入库。
地址 226009江苏省南通市南通经济技术开发区中天路西