| 发明名称 | 真空成膜装置和真空成膜方法以及太阳电池材料 | ||
| 摘要 | 一种真空成膜装置，其将由基板加热装置(3)进行加热的基板(17)导入成膜室(11)进行成膜，其中，基板加热装置(3)具有：加热室(23)；扁平形状的板式喷嘴(33)，其以与搬入于该加热室(23)的基板(17)的面保持所要求的间隔的方式配置于加热室(23)中，并形成气体导入口(34)；加热气体导入装置(32)，其将加热气体导入该板式喷嘴(33)的气体导入口(34)中；另外，其在上述板式喷嘴(33)中的与基板(17)对置的面板(33a)上备有通过加热气体的碰撞射流而对基板(17)进行加热的多个气体喷出口(35)。 | ||
| 申请公布号 | CN1781183A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200480011828.1 | 申请日期 | 2004.04.30 |
| 申请人 | 石川岛播磨重工业株式会社 | 发明人 | 山崎秀作;长谷川敬晃;水野昌幸 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L31/04(2006.01);C23C16/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏 |
| 主权项 | 1.一种真空成膜装置，其将由基板加热装置加热了的基板导入成膜室中进行成膜，其特征在于，上述基板加热装置具有：加热室；扁平形状的板式喷嘴，其以与搬入到该加热室的基板的面具有所需的间隔的方式配置于加热室中，并备有气体导入口；加热气体导入装置，其将加热气体导入到该板式喷嘴的气体导入口中；在上述板式喷嘴的与基板对置的面板上，备有通过加热气体的碰撞射流而对基板进行加热的多个气体喷出口。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||