非易失性存储装置

摘要

一非易失性存储装置，包括在编程中用于存储电荷载流子的浮置栅，在编程中通过向浮置栅注入由外界引入的电荷载流子而执行编程的编程栅、在擦除中将存储在浮栅中的电荷载流子排放到外界的擦除栅、在编程中控制由编程栅向浮置栅提供的电荷载流子量的控制栅、以及在编程中校验由编程栅提供的电荷载流子量的校验部分。

主权项

1、一种电可擦除可编程存储单元，它包括：第一导电型半导体衬底；形成在该半导体衬底上的浮置栅；形成在该半导体衬底上浮置栅一侧的编程栅，该编程栅向浮置栅传输电子以进行编程；形成在该半导体衬底上浮置栅另一侧的擦除栅；形成在浮置栅上方的控制栅；及形成在半导体衬底上浮置栅两侧的第二导电型源极与漏极区，其中编程栅和擦除栅与半导体衬底分离，在浮置栅和编程栅之间以及浮置栅和擦除栅之间形成隧道绝缘膜。