一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法

摘要

本发明一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法，涉及半导体技术，是一种产生超短光脉冲的多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器的单片集成器件的制作工艺。该方法包括：a)将多量子阱半导体分布反馈激光器与级联双电吸收调制器在同一磷化铟衬底上进行单片集成；b)采用选择区域生长法一次外延生长出铟镓砷磷集成器件多量子阱有源区；c)在集成器件的末级套刻出光窗口，在随后的接触层外延生长中，将在出光窗口处填埋磷化铟；d)采用双台阶梯脊波导结构；e)采用厚层负光敏性聚酰亚胺电极电层深坑填埋、固化。本发明集成器件可作为超短光脉冲光源用于光时分复用(OTDM)和光孤子通信系统。

主权项

1.一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法，将分布反馈激光器与级联双电吸收调制器进行单片集成，其特征包括：(1)在n型磷化铟衬底(1)上大面积外延n型磷化铟缓冲层(2)；(2)在n型磷化铟缓冲层(2)上生长二氧化硅，并光刻出选择区域生长掩蔽图形结构(3)；(3)采用选择区域生长法外延生长出集成器件的下波导层(4)、多量子阱有源区(5)和上波导层(6)；(4)采用干法和湿法刻蚀相结合制备一级布拉格光栅(7)；(5)套刻出末级电吸收调制器的磷化铟出光窗口(8)；(6)二次外延生长光限制层(9)和电接触层(10)；(7)套刻出双台阶梯脊波导结构(11)和电隔离深沟(12)；(8)氦离子选区注入电隔离深沟(12)；(9)负光敏性聚酰亚胺填埋深坑、固化，形成聚酰亚胺电极电层(13)；(10)光刻电极窗口图形，形成电极条(14)、高频电极(15)；(11)溅射钛/铂/金合金，带胶剥离形成p面电极图形；(12)背面减薄，蒸发金/锗/镍合金，形成n面电极(16)。