| 发明名称 | 在双掺杂栅应用中改进轮廓控制和提高N/P负载的方法 | ||
| 摘要 | 提供了在等离子体蚀刻室中蚀刻多晶硅栅结构的方法。本方法首先限定保护待蚀刻的多晶硅薄膜的图案。然后，产生等离子体。接下来，基本蚀刻掉所有未保护的多晶硅薄膜。然后，引入含硅气体，引入含硅气体的同时蚀刻剩下的多晶硅薄膜。还提供了配置成后在蚀刻过程中引入含硅气体的蚀刻室。 | ||
| 申请公布号 | CN1781185A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200480011829.6 | 申请日期 | 2004.02.26 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | H·德尔普波;F·林;C·李;V·瓦赫迪;T·A·坎普;A·J·米勒 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/302(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;王景朝 |
| 主权项 | 1.在等离子体蚀刻室中蚀刻多晶硅栅结构的方法，包括：限定保护待蚀刻的多晶硅薄膜的图案；激发等离子体；基本蚀刻掉所有未保护的多晶硅薄膜；引入含硅气体；和在引入含硅气体的同时蚀刻剩余的多晶硅薄膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||