| 发明名称 | 单根一维纳米材料的测试电极及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种单根一维纳米材料的测试电极及制备方法，电极包括：厚度为0.5mm～2mm的衬底；衬底上面一层为绝缘层；在绝缘层上分布着所要测量的单根一维纳米材料；根据单根一维纳米材料的尺寸及形状制作金属电极，金属电极包括与一维材料接触的电极线部分和用于测量引线的连接部分。该方法应用具有移动精度为2nm的激光干涉样品台的电子束曝光系统，利用高分辨率的聚焦离子束系统沉积的标记实现单根一维纳米材料在基片上的精确定位，同时可根据单根一维纳米材料的不同形状及尺寸来设计所需电极图形，是一快速、高效、无污染、可靠性高的制作单根一维纳米材料测试电极的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1779466A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200410091205.1 | 申请日期 | 2004.11.17 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 杨海方;刘立伟;金爱子;顾长志;吕力 |
| 分类号 | G01R1/06(2006.01);H05K3/06(2006.01) | 主分类号 | G01R1/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高存秀 |
| 主权项 | 1.一种单根一维纳米材料的测试电极包括：厚度为0.5mm～2mm的衬底，衬底上面一层为绝缘层，在绝缘层上分布着所要测量的单根一维纳米材料；根据单根一维纳米材料的尺寸及形状制作金属电极，金属电极包括与一维材料接触的电极线部分和用于测量引线的连接部分。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||