| 发明名称 | 由氮等离子体处理的ITO膜及使用该ITO膜的有机电致发光设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化铟锡(ITO)膜，其中通过氮与选自包括ITO构成元素In、Sn和O原子的组的至少一种原子反应而制备的含氮化合物，或沉淀的含氮的化合物存在于ITO膜的表面上；本发明还公开了一种制备ITO膜的方法，该方法包括使用氮等离子体处理ITO膜的表面的步骤。使用本发明提供的ITO膜作为阳极的有机电致发光设备显示出低电压、高效率和长寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN1781342A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200480011315.0 | 申请日期 | 2004.05.19 |
| 申请人 | LG化学株式会社 | 发明人 | 孙世焕;姜旼秀;全相映;金钟杰 |
| 分类号 | H05B33/26(2006.01) | 主分类号 | H05B33/26(2006.01) |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 南霆;朱梅 |
| 主权项 | 1、一种氧化铟锡(ITO)膜，其中通过氮与选自包括ITO构成元素In、Sn和O的组的至少一种原子反应而制备的含氮化合物，或沉积的含氮化合物存在于ITO的表面上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||