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发明名称 MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY WITH REDUCED SWITCHING FIELD VARIATION
摘要
申请公布号 EP1661188(A2) 申请公布日期 2006.05.31
申请号 EP20040780636 申请日期 2004.08.06
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 JANESKY, JASON, A.;ENGEL, BRADLEY, N.;SLAUGHTER, JON, M.
分类号 G11C11/15;G11C11/16;H01F10/32;H01F41/30;H01L29/76;H01L31/119;H01L43/08;(IPC1-7):H01L31/119 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
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