| 发明名称 | 电子发射材料和使用该材料的电子发射元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供降低功函数的电子发射材料，以及与现有相比实现低电能消耗化及/或高电流密度化的电子发射特性优良的电子发射元件。该电子发射材料包括：表面上具有原子台阶及在相邻的两个所述原子台阶之间具有平坦部的半导体基体；和所述平坦部上配置的吸附层，吸附层含有选自碱金属元素、碱土类金属元素及Sc中的至少一种元素。 | ||
| 申请公布号 | CN1781172A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200480011314.6 | 申请日期 | 2004.12.17 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 柴田元司;出口正洋;田尾本昭;尾崎丰一 |
| 分类号 | H01J1/14(2006.01);H01J1/15(2006.01);H01J1/30(2006.01) | 主分类号 | H01J1/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种电子发射材料，其特征在于，包括：在表面上具有多个原子台阶及在相邻两个所述原子台阶之间的平坦部的半导体基体；和在所述平坦部上配置的吸附层，所述吸附层含有选自碱金属元素、碱土类金属元素及Sc中的至少一种元素。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||