| 发明名称 | 防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构，该方法包括下列步骤：首先，提供一包括多个金属图案的基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案的间隙壁以防止金属图案和后续填入的硅层间侧向交互扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1778663A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200510115008.3 | 申请日期 | 2005.11.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张毓华;陈斐筠;曾健庭;朱翁驹;彭俊凯;叶志杰;柏竟衡;何大椿 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01);B81C1/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | B81B7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种防止金属与硅层间侧向交互扩散的结构，其特征在于，该防止金属与硅层间侧向交互扩散的结构包括：一基板；多个金属图案位于该基板上；一阻障间隙壁位于该金属图案的间隙壁，以防止该金属图案和后续填入的硅层间侧向交互扩散。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||