一种多孔硅的阴极还原表面处理技术

摘要

一种多孔硅的阴极还原表面处理技术，属半导体材料，确切说，功能信息材料的制造技术领域，包括多孔硅阴极还原表面处理工序：在腐蚀槽(2)内实施，把湿的、一个表面附有多孔硅(61)的P型单晶硅片(6)悬置于腐蚀槽(2)内，向腐蚀槽(2)内注入腐蚀液(3)，腐蚀液(3)的配比为HF∶水∶无水乙醇＝1体积∶1体积∶2体积，HF是浓度为40％的氟化氢水溶液，反向馈电，进行阴极还原表面处理；干燥处理工序：清洗和用常规的干燥方法干燥经上道工序处理的湿的、一个表面附有多孔硅(61)的P型单晶硅片(6)，制得干燥的多孔硅成品，有设备简单，操作方便，精度控制容易、产量大和适合工业化生产的优点，适于用来对湿的多孔硅进行表面处理，制得干燥的多孔硅。

主权项

1、一种多孔硅的阴极还原表面处理技术，其特征在于，操作如下：多孔硅阴极还原表面处理工序：在腐蚀槽(2)内实施，把湿的一个表面附有多孔硅(61)的P型单晶硅片(6)悬置于腐蚀槽(2)内，多孔硅(61)的表面对准阴极(8)，向腐蚀槽(2)内注入腐蚀液(3)，至浸没P型单晶硅片(6)，腐蚀液(3)的配比为HF∶水∶无水乙醇＝1体积∶1体积∶2体积，稳压电源(1)的正、负极分别接至腐蚀槽(2)的阴极(8)和阳极(7)，反向馈电，进行阴极还原表面处理，流过腐蚀槽(2)的反向电流的电流密度、稳压电源(1)的电压和反向馈电时间分别为1～150mAcm-2、2～5V和18sec～60min；干燥处理工序：用去离子水或蒸馏水清洗经上道工序处理的湿的一个表面附有多孔硅(61)的P型单晶硅片(6)，清洗时间为10～20min，接着用四种干燥方法，常温自然干燥、离心脱水干燥、加热干燥和吸湿剂吸湿干燥之一对湿的、一个表面附有多孔硅(61)的P型单晶硅片(6)进行干燥处理，制得干燥的多孔硅成品。