基片上形成的金属氧化物及其制造方法

摘要

本发明涉及由在基片上生长的金属氧化物组成的新的半导体膜及其制造方法。该金属氧化物由氧化钼组成，所述氧化钼非常适用于制造具有高耐电压的电子器件以及光子和电子恶劣环境器件。本发明的重要方面在于，在由已在普通电子和光子器件中使用的材料制成的基片上形成氧化钼膜。最流行的材料是硅。本发明的另一个重要方面是用于在基片上形成氧化钼膜的新方法。

主权项

1.一种用于制造半导体层的方法，所述方法包含以下步骤：提供源金属板和基片；清洁所述源金属板和所述基片的表面；在沉积室中设置所述源金属板和所述基片；在惰性气体的气氛中，将所述源金属板加热到500℃和850℃之间的温度，并且将所述基片加热到350℃和650℃之间的温度；以及通过将所述气氛从惰性气体改变到氧化气氛，并且在所述沉积室中维持所述源和所述基片温度一段足以形成具有希望厚度的金属氧化物层的时间，在所述基片上形成所述金属氧化物层。