一种制备三元高K栅介质材料的方法

摘要

本发明涉及制备高K栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高K材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高K薄膜材料。包括步骤：a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)作为半导体衬底；b)薄膜生长所用的方法是溅射法；c)在b)步中，制备时通过调整溅射系统中的靶距，或通过改变溅射功率来调整其中的氧化物含量，以得到所需的三元高K薄膜材料；d)在c)步中，当钆距为6cm、钇距为7cm、钆的溅射功率为70W、钇的溅射功率为60W时，所制备的三元高K材料性质最优，其中各氧化物成分为(Gd₂O₃) _0.98(Y₂O₃) _0.02，介电常数可高达23，比Gd₂O₃的介电常数高了40％，比Y₂O₃的介电常数高了70％。本发明方法制备的产品与其它高K材料相比，因混合了两种氧化物的优点而消除或降低了它们的缺点，使材料的性能达到最优。

主权项

1、一种制备三元高K材料的方法，其特征在于：选择半导体衬底，然后在衬底上用溅射的方法生长三元高K薄膜材料。