| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成绝缘图形。绝缘图形具有露出衬底表面的至少一个开口。然后，在衬底上形成第一多晶硅层，以便第一多晶硅层填充开口。第一多晶硅层还包括在其中的空隙。第一多晶硅层的上部被除去，以便空隙扩大到凹部，以及凹部被露出。在衬底上形成第二多晶硅层，以便第二多晶硅层填充凹部。 | ||
| 申请公布号 | CN1779916A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200510116124.7 | 申请日期 | 2005.10.26 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 吕寅准;李源俊;金泰贤;金志红;尹炳文 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成绝缘图形，绝缘图形具有露出衬底表面的至少一个开口；在衬底上形成第一多晶硅层，以便第一多晶硅层填充开口，第一多晶硅层包括在其中的空隙；除去第一多晶硅层的上部，以便空隙扩大到凹部，以及凹部被露出；以及在衬底上形成第二多晶硅层，以便第二多晶硅层填充凹部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||