| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在半导体衬底(10)的表面上介由第一绝缘膜(11)形成第一焊盘电极层(12)。然后，在它们的上层形成具有将第一焊盘电极层(12)局部露出的第一通孔(101)的第二绝缘膜(13)。然后，在第一通孔(101)内形成塞(14)，在第二绝缘膜(13)上形成与该塞(14)连接的第二焊盘电极层(15)。然后，形成与第二通孔(102)底部的焊盘电极(12)连接的贯通电极(20)及第二配线层(21)。再形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN1779960A | 申请公布日期 | 2006.05.31 |
| 申请号 | CN200510118098.1 | 申请日期 | 2005.10.25 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 | 发明人 | 龟山工次郎;铃木彰;梅本光雄 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体芯片；在所述半导体芯片的表面上介由第一绝缘膜形成的第一焊盘电极层；形成于所述第一焊盘电极层上的第二绝缘膜；形成于在所述第二绝缘膜上开口的第一通孔内的金属塞；形成于所述第二绝缘膜上，介由所述金属塞与所述第一焊盘电极层电连接的第二焊盘电极层；从所述半导体芯片的背面到达所述第一焊盘电极层的第二通孔；形成于所述第二通孔内，且通过该第二通孔与所述第一焊盘电极层电连接的贯通电极。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||