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发明名称 Semiconductor device having oxide-oxide-nitride stack spacer and method of fabricating the same
摘要
申请公布号 KR100585008(B1) 申请公布日期 2006.05.29
申请号 KR20030090177 申请日期 2003.12.11
申请人 发明人
分类号 H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
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