| 发明名称 |
A method of making direct contact on gate by usingdielectric stop layer |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG121897(A1) |
申请公布日期 |
2006.05.26 |
| 申请号 |
SG20040005667 |
申请日期 |
2004.08.25 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
PURAKH RAJ VERMA;STANFORD CHU;LAP CHAN;YELEHANKA RAMACHANDRA MUTTHY PRADEEP;KAI SHAO;ZHENG JIA ZHEN |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/4763;H01L21/768;H01L21/84;H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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