首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
HIGH QUALITY SILICON SINGLE CRYSTAL AND GROWING METHOD THE SAME
摘要
申请公布号
KR20060057140(A)
申请公布日期
2006.05.26
申请号
KR20040096209
申请日期
2004.11.23
申请人
SILTRON INC.
发明人
CHO, HYON JONG
分类号
C30B15/20
主分类号
C30B15/20
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
能防止并吸收电磁波的膜
球阀阀门安全保护装置
取片器自动旋转器
一种传动接头及送浆芯管与锚杆的连接结构
造型吊顶定位装置
一种按键开关及安装有该种按键开关的照明装置
风机可拆卸叶轮叶片结构
一种螺纹式级差活塞连接结构
一种槽罐取样回收装置
一种空气动力系统
风扇叶轮
光伏组件装配安装装置
一种挂壁式菜刀临时放置架
偏心井口转换装置
一种LED遥控调光电源
电容值均匀性测试仪
一种新型台灯
一种磁悬液浓度的在线动态实时监测装置
中药汤剂数字化系统
一种路基托换施工装置