首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 PROCESS FOR FORMING INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE WITH IMPROVED METAL SILICIDE CONTACTS USING NOTCHED SIDEWALL SPACER ON GATE ELECTRODE, AND RESULTING STRUCTURE
摘要
申请公布号 KR100499194(B1) 申请公布日期 2006.05.25
申请号 KR19980033782 申请日期 1998.08.20
申请人 发明人
分类号 H01L29/76 主分类号 H01L29/76
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com