在SiO<SUB>2</SUB>表面制备纳米氧化铜的方法

摘要

本发明公开了在SiO₂表面制备纳米氧化铜的方法，包括以下步骤：1)配制水的体积分率为0.1％－20％低级醇溶液，搅拌下按每100ml低级醇溶液依次加入0.1－25g的SiO₂和0.005－10g的Cu的化合物，充分混合均匀；2)配制浓度为1－300g/L的无机碱的水溶液或醇溶液，搅拌条件下滴加至步骤1)得到的反应体系中，反应10min－10hr，反应温度为－5℃～70℃，离心分离，干燥，得到在SiO₂表面负载氧化铜的复合材料。本发明通过在二元混合溶液中的反应，在SiO₂表面制备纳米CuO晶粒，利用SiO₂表面对CuO晶粒的稳定作用，有效避免或减少了CuO粒子的团聚现象。

主权项

1.在SiO2表面制备纳米氧化铜的方法，包括以下步骤：1)配制水的体积分率为0.1％-20％低级醇溶液，搅拌下按每100ml低级醇溶液依次加入0.1-25g的SiO2和0.005-10g的Cu的化合物，充分混合均匀；2)配制浓度为1-300g/L的无机碱的水溶液或醇溶液，搅拌条件下滴加至步骤1)得到的反应体系中，反应10min-10hr，反应温度为-5℃～70℃，离心分离，干燥，得到在SiO2表面负载氧化铜的复合材料。