| 发明名称 | 使用多层基底中的埋入式电容器的耦接装置 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种耦合器件，包括：基底(1)，覆盖所述基底(1)的第一表面的导电层(2)，与所述第一表面相对设置的至少两条电磁耦合线路(3a、3b)，所述至少两条电磁耦合线路中的至少一条由至少一个覆盖层(4、5)覆盖，其特征在于在所述至少两条线路(3a、3b)中的至少一条线路的第一端和所述导电层(2)之间连接至少一个电容器(C1、C2、C3、C4)，其中所述电容器包括：嵌入所述基底(1)中的导电元件(C1、C4)，所述导电元件设置在所述电磁耦合线路与所述导电层之间，并且面对覆盖所述基底(1)的第一表面的所述导电层(2)，以及从所述至少两条线路(3a、3b)中的所述至少一条线路的第一端到所述导电元件(C1、C4)的电连接(W1、W4)。 | ||
| 申请公布号 | CN1257575C | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
| 申请号 | CN01822899.2 | 申请日期 | 2001.02.28 |
| 申请人 | 诺基亚公司 | 发明人 | 萨马德·阿尔泰伊;格普尔吉·帕西奥普洛斯;马哈茂德·扎德;凯文·拉马克拉夫特;菲尔·莱恩 |
| 分类号 | H01P5/18(2006.01);H01P1/205(2006.01);H01L23/64(2006.01);H01P1/00(2006.01);H01L23/538(2006.01) | 主分类号 | H01P5/18(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 董莘 |
| 主权项 | 1、一种耦合器件，包括：基底(1)，覆盖所述基底(1)的第一表面的导电层(2)，与所述第一表面相对设置的至少两条电磁耦合线路(3a、3b)，所述至少两条电磁耦合线路中的至少一条由至少一个覆盖层(4、5)覆盖，其特征在于在所述至少两条线路(3a、3b)中的至少一条线路的第一端和所述导电层(2)之间连接至少一个电容器(C1、C2、C3、C4)，其中所述电容器包括：嵌入所述基底(1)中的导电元件(C1、C4)，所述导电元件设置在所述电磁耦合线路与所述导电层之间，并且面对覆盖所述基底(1)的第一表面的所述导电层(2)，以及从所述至少两条线路(3a、3b)中的所述至少一条线路的第一端到所述导电元件(C1、C4)的电连接(W1、W4)。 | ||
| 地址 | 芬兰埃斯波 | ||