| 发明名称 | 硅氧化膜的去除方法及处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH<SUB>3</SUB>气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH<SUB>3</SUB>气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1777980A | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
| 申请号 | CN200480011043.4 | 申请日期 | 2004.04.20 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 长谷部一秀;冈田充弘;千叶贵司;小川淳 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种硅氧化膜的去除方法，用于在可以进行真空排气的处理容器内，去除形成在被处理体表面的硅氧化膜，其特征在于：使用HF气体和NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||