| 发明名称 | 集成无源器件 | ||
| 摘要 | 说明书描述了一种形成在多晶硅衬底上的集成无源器件(IPD)。公开了一种制造IPD的方法，其中从单晶处理晶片开始、在起始晶片一侧或者两侧沉积多晶硅的厚的衬底层、在多晶硅衬底层的其中一层上形成IPD以及除去处理晶片来生产多晶硅衬底。在优选实施例中，单晶硅处理晶片为从单晶硅晶片生产线中废弃的硅晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1776895A | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
| 申请号 | CN200510091400.9 | 申请日期 | 2005.04.29 |
| 申请人 | 赛骑有限公司 | 发明人 | 伊恩·迪格尼;毛瑞恩·Y·劳;金莲泰 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/77(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种用于制造集成无源器件即IPD的方法，包括步骤：a.提供多晶硅晶片衬底，该多晶硅晶片衬底具有多个IPD位置，以及b.在IPD位置上形成至少一个薄膜无源器件。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||