| 发明名称 | 形成通过加入硅来调整功函数的金属栅极结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成具有功函数可控的金属栅极(30)的半导体结构的方法，所述方法包括形成前身结构的步骤，所述前身结构具有有源区(12)被沟道所分隔的基片(10)，以及在沟道之上和在介电层(20)之内的临时栅极(16)。去除临时栅极(16)以形成底部和侧壁在介电层(20)之内的凹沟(22)。在凹沟(22)内沉积不含硅的金属层(26)。将硅加入到金属层(26)中并在金属层(26)上沉积金属(28)。通过硅烷处理而获得硅的加入，所述硅烷处理是在沉积金属层(26)之前、之后或既之前又之后进行的。加入到金属层(26)中的硅的数量控制所形成的金属栅极(30)的功函数。 | ||
| 申请公布号 | CN1777976A | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
| 申请号 | CN200480011033.0 | 申请日期 | 2004.04.19 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | C·伍;P·R·贝塞尔;M·V·努;J·N·潘;J·尹 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体结构的方法，包括以下步骤：形成前身结构，所述前身结构具有有源区(12)被沟道所分隔的基片(10)，以及在沟道之上和在介电层(20)之内的临时栅极(16)；去除所述临时栅极(16)以形成底部和侧壁在所述介电层(20)之内的凹沟(22)；在所述凹沟(22)内沉积不含硅的金属层(26)；在所述金属层(26)上沉积金属(28)；以及将硅加入到所述金属层(26)中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||