Verfahren und Vorrichtung zum Einebnen einer Halbleiterscheibe sowie Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit

摘要

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Einebnen einer Halbleiterscheibe, umfassend folgende Schritte: DOLLAR A a) ortsabhängige Messung eines die Halbleiterscheibe charakterisierenden Parameters, um den ortsabhängigen Wert dieses Parameters auf der gesamten Fläche der Halbleiterscheibe zu ermitteln, DOLLAR A b) Ätzbehandlung dieser gesamten Fläche der Halbleiterscheibe unter Einwirkung eines Ätzmediums und gleichzeitiger Belichtung dieser gesamten Fläche, wobei die Abtragsrate der Ätzbehandlung von der Lichtintensität an der Fläche der Halbleiterscheibe abhängig ist und wobei die Lichtintensität ortsabhängig so vorgegeben wird, dass die Unterschiede in den in Schritt a) gemessenen ortsabhängigen Werten des Parameters durch die ortsabhängige Abtragsrate verringert werden. DOLLAR A Gegenstand der Erfindung ist auch eine Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit und Nanotopographie, eine SOI-Scheibe mit verbesserter Schichtdickenhomogenität und eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.