发明名称 | 改变磁场以控制等离子体体积的设备 | ||
摘要 | 一种等离子体限定设备,用于当在处理室内处理衬底时用于控制等离子体体积,其包括处理室,在该处理室内引发和保持处理衬底的等离子体。该处理室至少部分地由室壁限定,还包括等离子体限定装置。等离子体限定装置包括围绕处理室周边设置的磁矩阵,其构型为可产生在处理室壁上建立交点图形的磁场。处理室壁上的交点图形限定等离子体可能会损害以及会产生清洁问题的区域。移动交点图形以改善衬底处理系统的操作并减少因等离子体与室壁的相互作用引起的损害和/或清洁问题。即可通过移动磁矩阵或移动处理室壁实现交点图形的移动。磁元件的移动可以是连续的,即旋转一个或多个磁元件或旋转全部或部分处理室壁,或递增的,即周期地移动一个或多个磁元件的位置或全部或部分室壁的位置。 | ||
申请公布号 | CN1257527C | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
申请号 | CN01810248.4 | 申请日期 | 2001.03.16 |
申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | A·D·拜利;D·J·赫姆克尔 |
分类号 | H01J37/32(2006.01) | 主分类号 | H01J37/32(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;黄力行 |
主权项 | 1.用于处理衬底的等离子体处理设备,包括:处理室,它至少部分地由顶端、底端以及在顶端和底端之间延伸的壁限定,在该处理室内引发和保持用于所述处理的等离子体;磁矩阵,其具有围绕所述壁的外侧绕所述处理室周边设置的多个磁元件,所述多个磁元件被构型为产生具有方位角对称的径向梯度的磁场,所述磁场在所述壁上形成多个交点图形,其中所述多个磁元件中的每个从处理室的顶端跨到底端;用于旋转所述多个磁元件的磁场的装置,使得每个磁元件的各磁场单独地围绕单独旋转轴旋转,其中每个磁元件具有通过磁元件的单独旋转轴的单独旋转轴线,以相对于连接在所述多个磁元件和处理室之间的壁改变所述交点图形。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |