| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法，包括在基板上形成的、在电极垫上具有开口部的第1保护膜、在上述开口部中与电极垫连结并且其周边部由上述第1保护膜所覆盖的突起电极、至少覆盖第1保护膜和突起电极之间的边界部分的间隙而形成的并且在突起电极的上面区域除与第1保护膜之间的边界部分周边之外开口的第2保护膜、在第2保护膜的开口上覆盖突起电极表面而形成的覆盖层。这样、在采用无电解电镀法形成突起电极的半导体装置中、可以防止电极垫和突起电极之间的连结强度的降低。 | ||
| 申请公布号 | CN1257549C | 申请公布日期 | 2006.05.24 |
| 申请号 | CN02158814.7 | 申请日期 | 2002.12.25 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 山口真司;浅津琢郎;小野敦 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，包括：在半导体基板上形成的、在电极垫上具有开口部的第1保护膜；在所述开口部中与电极垫连结的、并且其周边部由所述第1保护膜覆盖而形成的突起电极；形成至少覆盖第1保护膜和突起电极之间的边界部分的间隙、并且在突起电极的上面区域除与第1保护膜之间的边界部分周边之外形成开口的绝缘膜；以及在所述绝缘膜的开口上形成的覆盖突起电极表面的金覆盖层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||